雖然目前來看，下一代芯片普遍依然采用 5nm 工藝打造，但是廠商卻一直在耗費(fèi)巨資開發(fā) 3nm 工藝，其中臺(tái)積電就表示將要在明年量產(chǎn) 3nm 工藝。不過，消息稱臺(tái)積電依然選擇 FinFET 晶體管技術(shù)，三星則選擇了 GAA 技術(shù)，并且還成功流片，距離實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)更近了一步。

　　據(jù)韓媒 Business Korea 最新報(bào)道，三星電子裝置解決方案事業(yè)部門技術(shù)長(zhǎng) Jeong Eun-seung 在 8 月 25 日的一場(chǎng)網(wǎng)絡(luò)技術(shù)論壇中透露，三星能夠搶在主要競(jìng)爭(zhēng)者臺(tái)積電之前，宣布 GAA 技術(shù)商業(yè)化。

　　他直言：“我們開發(fā)中的 GAA 技術(shù)，領(lǐng)先主要競(jìng)爭(zhēng)者臺(tái)積電。一旦鞏固這項(xiàng)技術(shù)，我們的晶圓代工事業(yè)將可更加成長(zhǎng)。”

　　據(jù)悉 ，GAA 是一種新型的環(huán)繞柵極晶體管，通過使用納米片設(shè)備出了 MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET， 多橋-通道場(chǎng)效應(yīng)管)，該技術(shù)可以顯著增強(qiáng)晶體管性能，主要取代 FinFET 晶體管技術(shù)。

　　根據(jù)三星的說法，與 5nm 工藝相比 ，3nm GAA 技術(shù)的邏輯面積效率提高了 35% 以上，功耗降低了 50%， 性能提高了約 30%。

　　三星早在 2019 年就公布了 3nm GAA 工藝的 PDK 物理設(shè)計(jì)套件標(biāo)準(zhǔn)，當(dāng)時(shí)三星預(yù)計(jì) 3nm GAA 工藝會(huì)在 2020 年底試產(chǎn) ，2021 年量產(chǎn)，但現(xiàn)在顯然不能實(shí)現(xiàn)這個(gè)計(jì)劃了。

　　需要注意的是，有消息稱三星 3nm GAA 工藝如果拖到 2024 年量產(chǎn)，將會(huì)直接與臺(tái)積電 2nm 競(jìng)爭(zhēng)，到時(shí)候鹿死誰手還猶未可知。
　　文章來源：http://www.cjgs.cn/html/keji/2021_08/27/183180.html

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