自2020年以來(lái)，內(nèi)存芯片市場(chǎng)大漲，老玩家三星借此實(shí)現(xiàn)了營(yíng)收的大幅增長(zhǎng)。不過，隨著美企加入內(nèi)存市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)，三星的日子也不好過起來(lái)。

　　美韓3家巨頭掐架

　　根據(jù)美國(guó)半導(dǎo)體巨頭美光科技在此前財(cái)報(bào)會(huì)議上的說法，公司正在與光刻機(jī)大廠ASML開展談判工作，預(yù)計(jì)在2024年，美光將采用ASML的EUV光刻機(jī)生產(chǎn)存儲(chǔ)芯片。

　　根據(jù)EETOP的說法，目前的存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)并不使用高端的EUV光刻機(jī)，上一代深紫外光刻機(jī)便可以滿足存儲(chǔ)芯片的生產(chǎn)需求。

　　而根據(jù)快科技此前的消息，美光將由1γ(gamma)工藝節(jié)點(diǎn)開始導(dǎo)入，使用EUV工藝的存儲(chǔ)芯片預(yù)計(jì)將在2024年進(jìn)入量產(chǎn)階段。

　　其實(shí)，美光不是第一家使用EUV技術(shù)生產(chǎn)存儲(chǔ)芯片的廠商?？炜萍贾赋觯诿拦庵?，三星和SK海力士已經(jīng)在去年年底便布局EUV工藝，且在技術(shù)推進(jìn)上更為激進(jìn)。

　　眾所周知，EUV工藝節(jié)點(diǎn)意味著更高的成本投入，而美光、三星等巨頭之所以不惜重金投入，無(wú)非是看到了存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)巨大的潛力，想通過更先進(jìn)的產(chǎn)品性能來(lái)吸引客戶。與如此龐大的市場(chǎng)規(guī)模相比，購(gòu)買EUV光刻機(jī)的支出顯得“微不足道”。

　　國(guó)產(chǎn)芯片廠商面臨考驗(yàn)

　　美韓3家巨頭的背后，光刻機(jī)巨ASML賺得盆滿缽滿。根據(jù)韓國(guó)媒體BusinessKorea此前的報(bào)道，ASML將赴韓國(guó)建廠，助力三星和SK海力士擴(kuò)充產(chǎn)能。

　　以三星為例，根據(jù)業(yè)界消息，三星計(jì)劃在今年共引進(jìn)10臺(tái)EUV光刻機(jī)，而三星用于生產(chǎn)存儲(chǔ)芯片的EUV光刻機(jī)將達(dá)到6臺(tái)。而對(duì)于ASML來(lái)說，一臺(tái)EUV光刻機(jī)的造價(jià)便高達(dá)1.35億美元，僅三星一個(gè)大客戶便可以帶來(lái)可觀的營(yíng)收。

　　不過，幾家歡喜幾家愁。對(duì)于國(guó)內(nèi)的存儲(chǔ)芯片廠商來(lái)說，美企韓企的“混戰(zhàn)”，無(wú)疑意味著更大的挑戰(zhàn)。

　　Strategy Analytics的數(shù)據(jù)顯示，今年一季度，三星在智能手機(jī)NAND閃存芯片市場(chǎng)的占比達(dá)到42%，在DRAM存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的占比同樣高達(dá)54%，霸主地位毋庸置疑。而排在三星之后的，正是SK海力士和美光。

　　而對(duì)于國(guó)內(nèi)廠商來(lái)說，在市場(chǎng)份額、技術(shù)水平并不占優(yōu)勢(shì)的情況下，三星等巨頭又有了EUV光刻機(jī)的加持，國(guó)內(nèi)廠商想要追趕無(wú)疑是難上加難。

　　在國(guó)內(nèi)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫等均是國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)的希望。2020年4月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布了兩款128層3D NAND閃存芯片，在先進(jìn)工藝上邁出了重要一步。

　　而合肥長(zhǎng)鑫也在2019年成功量產(chǎn)19nm工藝的DRAM存儲(chǔ)器產(chǎn)品，并開始向更為先進(jìn)的17nm等演進(jìn)。

　　不過，雖然國(guó)內(nèi)廠商極力追趕，與國(guó)際巨頭的差距仍明顯存在。目前，DRAM存儲(chǔ)芯片的工藝制程已經(jīng)推進(jìn)至10nm左右，且國(guó)內(nèi)廠商還需克服量產(chǎn)的良品率等問題，可謂任重而道遠(yuǎn)。

　　寫在最后

　　美企韓企的混戰(zhàn)給國(guó)內(nèi)廠商敲響了警鐘，國(guó)內(nèi)企業(yè)唯有加速自主研發(fā)，才能擺脫核心工藝受制于人的局面，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片終將在國(guó)際舞臺(tái)大放異彩。
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